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三星Exynos 2600性能超越蘋(píng)果

據(jù)業(yè)內(nèi)人士10月20日消息，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部已經(jīng)完成了Exynos 2600的開(kāi)發(fā)，并將于下個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn)其自己設(shè)計(jì)的移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）Exynos 2600，目前已確認(rèn)將其安裝在Galaxy S26系列中，這將是該公司將在四年來(lái)首次將自己的AP用于頂級(jí)產(chǎn)品線(xiàn)Ultra型號(hào)。Exynos系列是目前唯一一個(gè)由一家公司完全設(shè)計(jì)并生產(chǎn)制造的移動(dòng)處理器，三星電子決定將其用于旗艦系列得益于性能和良率的顯著提高。根據(jù)三星電子的內(nèi)部測(cè)試，Exynos 2600的神經(jīng)處理單元（NPU）性能是大型語(yǔ)言模型（LLM
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三星購(gòu)買(mǎi)了兩款A(yù)SML高數(shù)值孔值EUV工具

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，三星將于今年晚些時(shí)候收到其首款高數(shù)值孔徑（high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺(tái)掃描儀。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運(yùn)營(yíng)了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標(biāo)志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購(gòu)。報(bào)告指出，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電目前正在測(cè)試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報(bào)道援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，SK海力士在9月份證實(shí)已經(jīng)訂購(gòu)了生產(chǎn)級(jí)高NA EUV系統(tǒng)。據(jù)報(bào)道援引消息人士
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NVIDIA將三星工廠(chǎng)添加到NVLink Fusion 生態(tài)系統(tǒng)中用于定制芯片制造

在最近的 NVIDIA 與英特爾合作之后——讓英特爾構(gòu)建通過(guò) NVLink Fusion 直接插入 NVIDIA 平臺(tái)的 x86 CPU——Team Green 正在以令人驚訝的舉措擴(kuò)展其 NVLink 生態(tài)系統(tǒng)，現(xiàn)在引入了 Samsung Foundry。據(jù) NVIDIA 稱(chēng)，三星將幫助滿(mǎn)足對(duì)定制 CPU 和 XPU 不斷增長(zhǎng)的需求，為定制芯片提供全面的設(shè)計(jì)到制造支持。在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會(huì)（10 月 13 日至 16 日）上，HPC 和超大規(guī)模副總裁 Ian
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三星押注新Exynos芯片重振系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

三星電子指望其下一代移動(dòng)處理器 Exynos 2600 能夠?qū)⑵湎萑肜Ь车南到y(tǒng)半導(dǎo)體部門(mén)從季度虧損超過(guò) 2 萬(wàn)億韓元的長(zhǎng)期低迷中拉出來(lái)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星最近開(kāi)始量產(chǎn)Exynos 2600，這是一款基于該公司先進(jìn)的2納米工藝技術(shù)打造的旗艦移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）。該芯片由三星系統(tǒng) LSI 部門(mén)設(shè)計(jì)并由其代工部門(mén)制造，預(yù)計(jì)將于明年為即將推出的 Galaxy S26 智能手機(jī)系列提供動(dòng)力。新款 Exynos 對(duì)三星非存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一次關(guān)鍵考驗(yàn)，自 2024 年底以來(lái)，三星非存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)屢屢遭受虧損。由于性
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OpenAI攜手AMD和三星設(shè)定新路線(xiàn)，試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷

- ChatGPT 開(kāi)發(fā)商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規(guī)模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯(lián)盟面臨挑戰(zhàn)主導(dǎo)人工智能（AI）半導(dǎo)體市場(chǎng)的 NVIDIA 大本營(yíng)出現(xiàn)了裂縫。開(kāi)創(chuàng)AI時(shí)代的ChatGPT開(kāi)發(fā)商O(píng)penAI決定量產(chǎn)AMD的下一代AI加速器，該加速器被認(rèn)為是NVIDIA的唯一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高帶寬內(nèi)存）。三星電子（005930）有觀(guān)察稱(chēng)，英偉達(dá)將作為主要供
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三星展開(kāi)2nm價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，報(bào)價(jià)只有臺(tái)積電的三分之二

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星為了與臺(tái)積電2nm（N2）制程競(jìng)爭(zhēng)，已明確將2nm工藝（SF2）制程晶圓的報(bào)價(jià)降至2萬(wàn)美元，較臺(tái)積電3萬(wàn)美元的傳聞報(bào)價(jià)低了整整三分之一。當(dāng)前全球尖端芯片生產(chǎn)普遍處于滿(mǎn)負(fù)荷狀態(tài)，即便像英偉達(dá)這樣的科技巨頭也幾乎無(wú)法獲得足夠的供應(yīng)來(lái)滿(mǎn)足其需求。盡管眼下屬于賣(mài)方市場(chǎng)，芯片代工廠(chǎng)之間仍存在激烈競(jìng)爭(zhēng)。 —— 三星此次降價(jià)舉措旨在吸引更多客戶(hù)，以提升其2nm晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率，也是為保障投資回報(bào)的必然選擇。根據(jù)之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進(jìn)，目標(biāo)
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三星代工的2nm驍龍8 Elite Gen5被砍，廠(chǎng)商無(wú)人問(wèn)津

知名博主數(shù)碼閑聊站透露，由三星代工的2nm制程版本驍龍8 Elite Gen5芯片已被取消，目前沒(méi)有任何廠(chǎng)商計(jì)劃采用這款芯片。高通于今年9月發(fā)布的驍龍8 Elite Gen5（型號(hào)為SM8850）由臺(tái)積電負(fù)責(zé)代工，采用臺(tái)積電3nm工藝制程。目前各大廠(chǎng)商推出的旗艦機(jī)型均搭載了這一版本的芯片。盡管三星也為驍龍8 Elite Gen5提供代工服務(wù)，采用其SF2（2nm制程）工藝，且套片報(bào)價(jià)低于臺(tái)積電3nm版本，但由于三星過(guò)往的工藝表現(xiàn)不佳，廠(chǎng)商對(duì)其持謹(jǐn)慎態(tài)度，導(dǎo)致該版本芯片無(wú)人采購(gòu)?；仡櫄v史，三星曾代工過(guò)高通的
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因涉嫌向中國(guó)泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國(guó)泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬(wàn)億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級(jí)法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿(mǎn)前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級(jí)研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請(qǐng)保釋?zhuān)ㄔ菏芾怼?/li>
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三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專(zhuān)注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線(xiàn)，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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三星是否可以挑戰(zhàn)臺(tái)積電的統(tǒng)治力？

埃隆·馬斯克（Elon Musk）在 X 上宣布，特斯拉正在與三星合作，幫助生產(chǎn)其定制人工智能芯片。這一發(fā)展似乎令人震驚，因?yàn)榕_(tái)積電占據(jù)了全球芯片代工業(yè)務(wù)近 70% 的份額。雖然三星與特斯拉的合作代表著一次重大勝利，但關(guān)于這筆交易還有一些重要的細(xì)微差別需要理解。當(dāng)投資者想到半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭時(shí)，主導(dǎo)話(huà)題的通常名稱(chēng)是英偉達(dá)、AMD和博通。這些公司負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)高性能芯片和網(wǎng)絡(luò)硬件，以前所未有的規(guī)模為下一代數(shù)據(jù)中心提供動(dòng)力。然而，在幕后更安靜地運(yùn)營(yíng)的是臺(tái)積電。雖然臺(tái)積電在人工智能（AI）芯片競(jìng)賽中不如同行那么
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SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶(hù)協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶(hù)協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)，還包括汽車(chē)電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
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三星、SK海力士股價(jià)飆升的原因:全球科技熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求

市場(chǎng)觀(guān)察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價(jià)在外國(guó)強(qiáng)勁的購(gòu)買(mǎi)和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現(xiàn)反映了投資者情緒的更深層次轉(zhuǎn)變。信息技術(shù) （IT）和半導(dǎo)體制造商的股價(jià)正在上漲，這得益于人工智能（AI）的大量投資導(dǎo)致的強(qiáng)勁盈利預(yù)測(cè)。尤其是三星電子的漲勢(shì)將保持強(qiáng)勁，這得益于摩根士丹利的一份報(bào)告建議增持，表明未來(lái)幾個(gè)月價(jià)格將進(jìn)一步上漲。這家全球投資銀行巨頭表示，三星股票是其首選，將其目標(biāo)價(jià)從之前的 96,000 韓元上調(diào)至 69 韓元（86,000 美元）。該公司在最新報(bào)告中表示，IT 行業(yè)將面臨“一
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三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑：12層HBM3E通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過(guò)了英偉達(dá)的認(rèn)證測(cè)試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對(duì)三星意義非凡。隨著其技術(shù)實(shí)力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國(guó)巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢(shì)，未來(lái)HBM市場(chǎng)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過(guò)去一直是全球最大的DRAM廠(chǎng)商，但是卻由于在HBM競(jìng)爭(zhēng)中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過(guò)英偉達(dá)的認(rèn)證花費(fèi)了約18個(gè)月，去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層HBM3E芯片樣品測(cè)試，期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的
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三星HBM3E熬18個(gè)月終獲英偉達(dá)認(rèn)證

南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競(jìng)爭(zhēng)賽道上落后于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士以及美光。但據(jù)韓媒報(bào)道，如今總算有好消息傳出！三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過(guò)英偉達(dá)質(zhì)量驗(yàn)證測(cè)試。此一進(jìn)展不僅象征三星在HBM技術(shù)上的突破，也可能改寫(xiě)其在高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（The Korea Economic Daily）報(bào)導(dǎo)，三星從完成HBM3E 12層芯片的開(kāi)發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達(dá)性能測(cè)試失敗，到最終通過(guò)認(rèn)證，整整耗時(shí)18個(gè)月，成為繼SK
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三星據(jù)報(bào)道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)

根據(jù) The Elec 報(bào)道，援引行業(yè)消息人士稱(chēng)，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P(guān)重要的組件。報(bào)道稱(chēng)，三星據(jù)說(shuō)正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時(shí)候，三星據(jù)報(bào)道向美國(guó)光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購(gòu)了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，日本的 Tekscend Photomask 也在評(píng)估中，預(yù)計(jì)很快將收到訂單。報(bào)道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的
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